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您的位置：網(wǎng)站首頁 > 新聞資訊 > 絕緣電阻測(cè)試儀住建部公布今年太陽能光電建筑應(yīng)用補(bǔ)貼政策 近日，住建部下發(fā)了《關(guān)于組織實(shí)施2012年度太陽能光電建筑應(yīng)用示范的通知》(下稱“通知”)，通知明確了2012年年度太陽能光電建筑應(yīng)用示范項(xiàng)目的新的補(bǔ)貼政策和申請(qǐng)要求，補(bǔ)貼政策向綠色生態(tài)城區(qū)和一體化程度高的專案傾斜。
通知明確，對(duì)建材型等與建筑物高度緊密結(jié)合的光電一體化項(xiàng)目，補(bǔ)助標(biāo)準(zhǔn)暫定為9元/瓦，對(duì)與建筑一般結(jié)合的利用形式，補(bǔ)助標(biāo)準(zhǔn)暫定為7.5元/瓦。zui終補(bǔ)貼標(biāo)準(zhǔn)將根據(jù)光伏產(chǎn)品市場(chǎng)價(jià)格變化等情況予以核定。
通知還對(duì)太陽能光電建筑應(yīng)用示范區(qū)和一體化建筑示范區(qū)條件予以規(guī)定，前者需2012年前完成裝機(jī)容量，在2-3年內(nèi)推廣規(guī)模不低于15MW。申請(qǐng)光電建筑應(yīng)用示范的專案均要求于2012年年底前完工。
示范專案應(yīng)采用性能*光伏組件產(chǎn)品，其中：晶體矽光伏組件全光照面積的光電轉(zhuǎn)換效率(以含組件邊框面積計(jì)算轉(zhuǎn)換效率)不得低于14%，輸出功率衰減率2年內(nèi)不高于5%、10年內(nèi)不高于10%、25年內(nèi)不高于15%，非晶矽組件全光照面積的光電轉(zhuǎn)換效率(以含組件邊框面積計(jì)算轉(zhuǎn)換效率)不得低于6 %，輸出功率衰減率2年內(nèi)不高于4%、10年內(nèi)不高于10%、25年內(nèi)不高于20%。
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